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厂商型号

NTY100N10G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-3BPL Rail

内部编号

277-NTY100N10G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:2742
1+¥76.6647
25+¥71.1942
100+¥68.2663
500+¥65.5695
1000+¥62.3334
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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NTY100N10G产品详细规格

规格书 NTY100N10G datasheet 规格书
NTY100N10
文档 Multiple Devices 01/Jul/2009
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 01/Jul/2009
标准包装 25
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 123A
Rds(最大)@ ID,VGS 10 mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 350nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 10110pF @ 25V
功率 - 最大 313W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装 TO-264
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Rail
最大漏源电阻 10@10V
最大漏源电压 100
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-3BPL
最大功率耗散 313000
最大连续漏极电流 123
引脚数 3
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 123A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
封装/外壳 TO-264-3, TO-264AA
供应商设备封装 TO-264
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 10 mOhm @ 50A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 313W
标准包装 25
漏极至源极电压(Vdss) 100V
输入电容(Ciss ) @ VDS 10110pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 350nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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